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[发明专利]氧化物烧结体-CN201580040059.6在审
发明人：中田邦彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：作为机械强度高、相对密度高、体电阻值小且组成均匀的氧化物烧结体，提供了一种氧化物烧结体，其是包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体，该氧化物烧结体在L＊a＊b＊表色系中的L＊为35以下。
氧化物烧结

[发明专利]氧化物烧结体-CN03147688.0有效
发明人：阿部能之 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2003-05-20 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，主要由In组成并含有W，其电阻率不超过1KΩcm。W含量优选W/In原子比至少0.001，不超过0.17。该氧化物烧结体主要包含具有方铁锰矿结构的、其中固溶有W的氧化铟晶相和/或钨酸铟化合物晶相，并且不含氧化钨晶相。因此，该氧化物烧结体用作溅射靶可以生产具有低电阻和对红外光具有高透射率的氧化物基透明导电膜。
氧化物烧结

[发明专利]氧化物烧结体-CN202080046931.9在审
发明人：笘井重和;上冈义弘;胜又聪;佐佐木健一 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：氧化物烧结体，其包含锌、镁、金属元素X和氧作为构成元素，所述金属元素X为正3价或正4价，金属元素X相对于锌、镁和金属元素X的合计的原子比[X/（Zn+Mg+X）]为0.0001以上且0.6以下，镁相对于锌和镁的合计的原子比
氧化物烧结

[发明专利]氧化物烧结体-CN201680038373.5在审
发明人：挂野崇;角田浩二 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其为实质上包含铟、锡、镁和氧，以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5％～15％的比例含有锡，以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1％～2.0％的比例含有镁，剩余部分包含铟和氧的烧结体，其特征在于，所述烧结体的表面粗糙度Ra为0.3μm～0.5μm时的挠曲强度为140MPa以上。本发明的课题在于提供可以减少成膜时靶破裂、粉粒产生，并且可以形成非晶稳定性、耐久性优良的薄膜的溅射靶用氧化物烧结体。
氧化物烧结

[发明专利]氧化物烧结体和溅射靶、以及其制造方法-CN201480030142.0有效
发明人：田尾幸树;广濑研太;慈幸范洋;越智元隆 -专利权人：株式会社钢臂功科研;株式会社神户制钢所
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制结合工序中发生破损的氧化物烧结体、和使用该氧化物烧结体的溅射靶、以及其制造方法。本发明的氧化物烧结体是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90％以上、氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，将铟、镓、锡的含量相对于氧化物烧结体中所含全部金属元素的比例
氧化物烧结溅射及其制造方法

[发明专利]氧化物烧结体以及溅射标靶-CN201280007841.4无效
发明人：岩崎祐纪;后藤裕史;金丸守贺 -专利权人：株式会社钢臂功科研
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体以及溅射标靶，适用于显示装置用氧化物半导体膜的制造的氧化物烧结体兼备高的导电性和相对密度，能够成膜具有高的载流子迁移率的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，当对所述氧化物烧结体进行基于EPMA的面内组成映射时，在测定面积中所占的、Sn浓度为10～50质量％的区域的比率是
氧化物烧结以及溅射

[发明专利]氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、以及薄膜晶体管-CN201480020520.7在审
发明人：内山博幸;福岛英子 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于
氧化物半导体及其制造方法以及薄膜晶体管

[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶-CN201180054499.9有效
发明人：后藤裕史;岩崎祐纪;得平雅也;米田阳一郎 -专利权人：株式会社钢臂功科研
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
氧化物烧结溅射

[发明专利]红色氧化锆烧结体、制备方法和用途-CN201910367575.X有效
发明人：宋锡滨;杨爱民;张巧云 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种红色氧化锆烧结体，包括铈氧化物、辅助金属氧化物和锆氧化物；所述辅助金属氧化物包括钇氧化物、镁氧化物、钙氧化物和镱氧化物中的任意一种或至少两种的组合；红色氧化锆烧结体满足铈氧化物含量为0.2～1.5mol％；铈氧化物包括三价铈氧化物；铈氧化物和辅助金属氧化物含量之和为1.1～2.5mol％；烧结体的断裂韧性≥8MPa·m1/2。本发明提供的氧化锆烧结体呈红色外观，且具有8MPa·m1/2以上的韧性，拓展了其应用场景，能够被用于手机背板、饰品、表盘等产品。
红色氧化锆烧结制备方法用途

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜-CN201580012927.X在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga₂O₃相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×10¹⁸cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²V
氧化物烧结溅射以及使用获得半导体薄膜

[发明专利]气体传感器用导电性氧化物烧结体、导电性氧化物烧结体、布线基板以及气体传感器-CN201710686947.6有效
发明人：佐藤未那;广濑吉进;清家晃;小塚久司;冲村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器用导电性氧化物烧结体、导电性氧化物烧结体、布线基板以及气体传感器。提供一种在室温下能够实现高电导率的导电性氧化物烧结体。一种气体传感器用导电性氧化物烧结体，其包含具有组成式：RE
气体传感器用导电性氧化物烧结布线以及传感器

[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件-CN201580002686.0有效
发明人：宫永美纪;绵谷研一;曾我部浩一;粟田英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
氧化物烧结及其制造方法溅射以及半导体器件

[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶、以及其制造方法-CN201380047358.3有效
发明人：田尾幸树;畠英雄;南部旭;金丸守贺 -专利权人：株式会社钢臂功科研
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，在所述氧化物烧结体的表面观察到的晶粒的平均晶粒直径小于10μm。对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn₂SnO₄相和InGaZnO₄相为主相，InGaZn₂O₅
氧化物烧结溅射及其制造方法

[发明专利]氧化物烧结体以及对其进行加工而得到的片体-CN201380040279.X无效
发明人：中山德行 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种离子镀用片体以及氧化物烧结体，该氧化物烧结体以用于获得该离子镀用片体的氧化铟为主要成分并且含有特定量的锡作为添加元素，该离子镀用片体可高速成膜适用于太阳能电池的透明导电膜并且可在不引起裂纹本发明提供一种氧化物烧结体等，该氧化物烧结体以氧化铟为主要成分，含有锡作为添加元素，并且锡的含量按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由晶粒(A)和晶粒(B)构成，该晶粒(A)中，锡的含量少于氧化物烧结体的平均锡含量，该晶粒(B)中，锡的含量在氧化物烧结体的平均锡含量以上，晶粒(B)与晶粒(A)的平均锡含量之差按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.015以上，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。
氧化物烧结以及进行加工得到

[发明专利]负氧离子制造装置-CN200580017658.2无效
发明人：李全新;鸟本善章;定方正毅 -专利权人：株式会社日本氧化;电气化学工业株式会社
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C01B13/02 文献下载
摘要：在本发明的负氧离子制造装置(1)中，设置了选自氧化铈烧结体、氧化铈·氧化铝烧结体、或氧化铈与氧化钙·氧化铝复合氧化物的烧结体中的氧化物烧结体和该氧化物烧结体的加热装置(4)。
离子制造装置

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